바이스로 이용된 박막이 현저하게 다양해진 것처럼, 장치 및 방식도 다양화되고 있다. 또한 디바이스 메이커가 이용한 리소그래피의 시퀀스, 레시피, 포토레지스트 재료의 차이나 조합방법 등에 의해 요구되는 장치 스펙(Specification:규격)에 차이가 생기기 쉽다. 즉, 장치마다 스펙의 표준화가 곤란해진
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
포토레지스트에 집중시켜 작게 비추도록 한다. 이와 같은 과정을 거쳐 집적 회로가 만들어지는데, 현재 포토리소그래피는 미세구조를 만들 수 있는 한계가 약 100 나노미터 선로 간격이다. 현재 이보다 더 작은 회로를 얻기 위해서는 다양한 기술이 개발되고 있지만, 많은 생산 비용이 들고, 더 이상의
1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
리소그래피의 종류에는 포토리소그래피, 전자빔 리소그래피, X선 리소그래피가 있는데 이번 실험에서는 포토리소그래피에 대해서 알아보았다. 포토리소그래피는 기판(반도체 웨이퍼) 위에 감광성질을 가지고 있는 포토레지스트(Photoresist)를 얇게 바른 후, 원하는 마스크 패턴을 올려 놓고 빛을 가하여
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전사시킴으로써 행
바이스의 집적도를 향상시키기에는 공정상의 한계가 생기기 마련이며, 이에 따른 막대한 비용문제도 발생하게 된다. 반면, 이번에 소개할 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography)는 열 또는 UV를 소스(source)로하여 레지스트(resist)의 유동성을 이용해서 나노 사이즈의 패턴을 전사하는 방법으로 기
패턴을 형성한다. 그리고 냉각 과정을 거치고 스탬프를 레지스트 층과 떼어낸다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교, 강신일
그림 2. NIL 공정해석을 위한 공정도
이 임프린트 리소그래피 공정은 기존의 다른 나노 패터닝 기술(포토 리소그라피, 전자 빔 리소그라피 등)처럼 고가의
포토레지스트의 패턴을 형성하게 되는 경우도 있다. 포토레지스트에는 그 밖에도 평탄화를 위한 희생막으로서의 용도 등도 있다. 리소그래피 공정은 반복되는 각종 기본 가공기술의 중심이며, 클린룸 내의 물류는 리소그래피 영역을 중심으로 행해진다.
현재의 VLSI 디바이스에서는 리소그래피의 횟
패턴으로 이루어져있다.
반도체 소자의 크기는 패턴의 크기에 달려 있기 때문에 패턴의 크기를 줄여 반도체 소자의 집적도를 높이는 것이 반도체 생산 공정에서는 매우 중요하다. 반도체 소자의 집적도는 매년 꾸준하게 증가하였으며 여기에 가장 핵심적인 역할을 한 것이 바로 포토리소그래피이다.